Огарёв-online

силовые полупроводниковые приборы

• Применение РЭМ для исследования структуры и адгезионных свойств спеченных слоев серебросодержащих паст

  Опубликовано 23.11.2015 в 22:58
  Автор: Горбунов Дмитрий Сергеевич,Мишкин Владимир Петрович,Нищев Константин Николаевич,Новопольцев Михаил Ильич
  Ключевые слова: L-отслаивание, адгезия, растровая электронная микроскопия, серебросодержащая паста, силовые полупроводниковые приборы, спекание
  Выпуск: Физико-математические науки - Выпуск 23

  В статье представлены результаты исследования микроструктуры и адгезионных свойств спеченных слоев серебросодержащих паст (СП), применяемых в технологиях производства силовых полупроводниковых приборов для низкотемпературного соединения электрически активной кремниевой структуры (КС), содержащей p-n-переходы, с молибденовым термокомпенсатором (МТ). Микроструктура границ между спеченным слоем СП и металлизированными поверхностями КС и МТ, а также границы между спеченным слоем СП и … Прочесть целиком →

• Способы ограничения коммутационных перенапряжений на силовых полупроводниковых приборах

  Опубликовано 16.10.2015 в 15:33
  Автор: Симаков Сергей Анатольевич
  Ключевые слова: коммутационное перенапряжение, переходный процесс, силовые полупроводниковые приборы, снабберная цепь.
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 20

  В статье рассмотрены существующие подходы к решению задачи ограничения коммутационных перенапряжений на силовых полупроводниковых приборах. Представлены математические зависимости, описывающие переходные процессы, протекающие в силовых полупроводниковых приборах при их выключении с учетом заданных значений параметров снабберных цепей. Сделаны выводы о достоинствах и недостатках рассмотренных методик и показаны возможные пути их усовершенствования.

• Обзор устройств для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов в состоянии низкой проводимости

  Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
  Автор: Беспалов Николай Николаевич,Ильин Михаил Владимирович,Капитонов Сергей Сергеевич,Смолин Антон Николаевич
  Ключевые слова: диагностика, диод, измерение, параметры, проверка, силовые полупроводниковые приборы, тиристор
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 22

  В данной статье рассмотрены существующие устройства для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов (СПП) в состоянии низкой проводимости. Показана актуальность создания современного многофункционального и универсального оборудования для диагностики СПП.

• Исследование структуры многослойных металлических покрытий на кремнии методами РЭМ и СЗМ

  Опубликовано 02.07.2014 в 22:03
  Автор: Горбунов Дмитрий Сергеевич,Мишкин Владимир Петрович,Нищев Константин Николаевич,Новопольцев Михаил Ильич,Ускова Елена Николаевна
  Ключевые слова: межэлементные соединения, многослойные металлические покрытия, растровая электронная микроскопия, силовые полупроводниковые приборы, сканирующая зондовая микроскопия, структура «кремний на молибдене»
  Выпуск: Математическое моделирование, комплексы программ и высокопроизводительные вычисления,Физика конденсированного состояния - Выпуск 19

  Методом химического травления, травления фокусированным ионным пучком, растровой электронной микроскопии и сканирующей зондовой микроскопии определена структура и элементный состав многослойных металлических покрытий, используемых в качестве переходного омического интерфейса в контактной системе структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Исследуемые металлические покрытия наносились на поверхность кремниевых структур по технологии магнетронного напыления. Полученные результаты демонстрируют эффективность совместного применения методов … Прочесть целиком →