Огарёв-online

тиристор

• Зависимости скорости распространения включенного состояния от геометрических параметров тиристора

  Опубликовано 16.10.2015 в 15:33
  Автор: Беспалов Николай Николаевич,Горячкин Юрий Викторович,Кокулов Станислав Григорьевич
  Ключевые слова: диаметр шунтов, моделирование, плотность тока, расстояние между шунтами., скорость распространения включенного состояния, тиристор, управляющий электрод
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 20

  В статье рассматриваются результаты исследования зависимостей линейной скорости распространения включенного состояния от плотности тока в открытом состоянии тиристоров при вариации величин их геометрических параметров. Исследования проведены на основе моделирования процесса включения тиристоров в программной среде Synopsys TCAD. Приводятся аппроксимационные зависимости скорости распространения включенного состояния от геометрических параметров тиристора.

• Моделирование заряда обратного восстановления тиристора

  Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
  Автор: Горячкин Юрий Викторович,Хайбулин Рушан Ринатович
  Ключевые слова: заряд обратного восстановления, модель, тиристор, элементарная ячейка.
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 22

  Разработаны трехмерные элементарные ячейки вспомогательного и основного тиристоров. Приведены результаты моделирования заряда обратного восстановления тиристора в сравнении с данными измерений реального тиристора.

• Обзор устройств для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов в состоянии низкой проводимости

  Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
  Автор: Беспалов Николай Николаевич,Ильин Михаил Владимирович,Капитонов Сергей Сергеевич,Смолин Антон Николаевич
  Ключевые слова: диагностика, диод, измерение, параметры, проверка, силовые полупроводниковые приборы, тиристор
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 22

  В данной статье рассмотрены существующие устройства для измерения значений параметров и характеристик силовых полупроводниковых приборов (СПП) в состоянии низкой проводимости. Показана актуальность создания современного многофункционального и универсального оборудования для диагностики СПП.