Доцент кафедры электроники и наноэлектроники ФГБОУ ВО «МГУ им. Н. П. Огарёва». Область научных интересов: разработка и моделирование силовых полупроводниковых приборов и элементов ИМС. E-mail: yurygor@newmail.ru.
В статье представлены результаты моделирования схемотехнического решения генератора импульсов прямого тока для испытания полупроводниковых приборов и программа генерации управляющего напряжения полусинусоидальной формы испытательного импульса в виде 12-разрядного двоичного кода на языке VHDL. Описан алгоритм работы генератора полусинусоидальных импульсов тока.
Приведено схемотехническое решение активного корректора коэффициента мощности, применяемое в импульсных преобразователях мощностью до 450 Вт. Выполнен расчёт режимов работы схемы корректора коэффициента мощности. Представлены основные преимущества данного схемного решения и результаты поведенческого моделирования схемы активного корректора коэффициента мощности.
В статье рассмотрены структурная и электрическая принципиальная схемы источника питания электростатического фильтра и бактерицидной ультрафиолетовой люминисцентной лампы от аккумуляторной батареи с напряжением +12 В. Проведено моделирование работы источника в программном комплексе NI Multisim 11. Продемонстрирована разработка макетного образца источника питания.
В работе приводятся результаты исследования основных термоэлектрических параметров элементов Пельтье модели TEC–12706. Сняты зависимости температуры «холодной» стороны от протекающего через модуль тока, а также максимального времени удержания минимальной температуры «холодной» стороны от тока. Характеристики сняты с различным охлаждением элементов, а также с различным их расположением относительно друг друга.
В статье рассматриваются результаты исследования зависимостей линейной скорости распространения включенного состояния от плотности тока в открытом состоянии тиристоров при вариации величин их геометрических параметров. Исследования проведены на основе моделирования процесса включения тиристоров в программной среде Synopsys TCAD. Приводятся аппроксимационные зависимости скорости распространения включенного состояния от геометрических параметров тиристора.