Методом химического травления, травления фокусированным ионным пучком, растровой электронной микроскопии и сканирующей зондовой микроскопии определена структура и элементный состав многослойных металлических покрытий, используемых в качестве переходного омического интерфейса в контактной системе структур мощных силовых полупроводниковых приборов. Исследуемые металлические покрытия наносились на поверхность кремниевых структур по технологии магнетронного напыления. Полученные результаты демонстрируют эффективность совместного применения методов химического и ионного травления, РЭМ и СЗМ для исследования структуры и элементного состава многослойных металлических покрытий на кремнии.
A STUDY OF THE STRUCTURE OF MULTILAYER METALLIC COATINGS ON SILICON BY SEM AND AFM
The structure and elemental composition of the multilayer metallic coatings used as a transition of the ohmic contact interface system structures of large power semiconductor devices have been identified by chemical etching, etching by focused ion beam, scanning electron microscopy, scanning probe microscopy. The metal coatings were deposited on the surface of the silicon structures by the magnetron sputtering technique. The results demonstrate the efficiency of the combined application of chemical and ion etching, SEM and AFM to study the structure and elemental composition of multilayer metal coatings on silicon.