Доцент кафедры электроники и наноэлектроники ФГБОУ ВО «Мордовский государственный университет им. Н.П. Огарёва», кандидат технических наук. Область научных интересов: технология полупроводниковых материалов и приборов на основе карбида кремния. E-mail: siven38@.mail.ru
Представлены результаты исследования влияния параметров шероховатости монокристаллических пластин карбида кремния на эффективность их очистки с помощью химической и мегазвуковой обработки. Показано, что эффективность очистки возрастает с увеличением качества полировки (с уменьшением значений параметров шероховатости).
Исследуется влияние качества обработки поверхности пластин 4H-SiC на скорость термического окисления карбида кремния в атмосфере сухого кислорода. Показано, что на поверхностях пластин с большей шероховатостью при прочих равных условиях образуется более толстая окисная пленка.
В статье проводятся результаты исследования ширины запрещенной зоны карбида кремния оптическим методом. Для его определения использовали спектрофотометр СФ-46. Образцы карбида кремния были разных политипов, имели разный тип проводимости, а также были получены разными методами (Лели и ЛЭТИ).
В статье рассматриваются особенности процесса термического окисления карбида кремния, в частности, низкие темпы роста оксидной пленки на поверхности карбида кремния и обсуждаются способы быстрого окисления пластин карбида кремния