Опубликовано 08.05.2015 в 23:18
УДК: 621.382.2.
Исследуется влияние качества обработки поверхности пластин 4H-SiC на скорость термического окисления карбида кремния в атмосфере сухого кислорода. Показано, что на поверхностях пластин с большей шероховатостью при прочих равных условиях образуется более толстая окисная пленка.
THE INFLUENCE OF PLATE SURFACE PROCESSING ON THE SPEED OF SILICON CARBIDE THERMAL OXIDATION
The study focuses on the influence of the processing quality of 4H-SiC plate surfaces on the speed of thermal oxidation of silicon carbide in dry oxygen. The surfaces of plates with a bigger roughness demonstrate thicker oxide film under otherwise equal conditions.
Библиографический список
Библиографический список
1. Технология СБИС: в 2 кн. / под ред. С. Зи., пер. с англ. – кн. 1. – М: Мир, 1986. – 404 с.
2. Сысоев А. А. Процессы обработки затравок для выравнивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ: дисс. …канд. тех. наук. – СПб., 2001. – 105 с.
3. Шероховатость поверхности. Параметры и характеристики. ГОСТ 2789-73, издание официальное. – М.: Стандартинформ, 2006. – 15 с.
Выходные данные статьи: Евишев А. В., Ивенин С. В. Влияние обработки поверхности пластин на скорость термического окисления карбида кремния [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2015. – №11. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/vliyanie-obrabotki-poverxnosti-plastin-na-skorost-termicheskogo-okisleniya-karbida-kremniya