Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
УДК: 621.215.5308
В статье проводятся результаты исследования ширины запрещенной зоны карбида кремния оптическим методом. Для его определения использовали спектрофотометр СФ-46. Образцы карбида кремния были разных политипов, имели разный тип проводимости, а также были получены разными методами (Лели и ЛЭТИ).
DETERMINATION OF THE WIDTH OF THE SILICON CARBIDE FORBIDDEN ZONE BY THE OPTICAL METHOD
The article presents the results of determination of the width of the silicon carbide forbidden zone by the optical method. The spectrophotometer SF-46 was used. The samples of silicon carbide were of different polytypes and had different types of conductivity. Also different methods (Lely and LETI) were used to obtain the samples tested.
Библиографический список
Библиографический список
1. Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов. – М.: Высш. шк., 1987. – 239 с.
2. Уханов Ю. И. Оптические свойства полупроводников. – М.: Наука, 1977. – 366 с.
3. Панков Ж. Оптические процессы в полупроводниках. – М.: Мир, 1973. – 458 с.
4. Добролеж С. А., Зубкова С. М., Кравец В. А. Карбид кремния. – Киев: Гос. изд-во техн. лит. УССР, 1963. – 316 с.
Выходные данные статьи: Евишев А. В., Ивенин С. В. Определение ширины запрещенной зоны в карбиде кремния оптическим методом [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №22. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/opredelenie-shiriny-zapreshhennojj-zony-v-karbide-kremniya-opticheskim-metodom