Старший преподаватель кафедры электроники и наноэлектроники ФГБОУ ВО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва». Область научных интересов – моделирование лавинных процессов в p–n-переходах. E-mail: ashesterkina@mail.ru.
Приведено описание метода и установки для исследования микроплазменного пробоя p–n-перехода. Показано, что задержка лавинного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах p–n-переходов, что невозможно определить другими методами.
Анализируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в p–n-переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в случае эмиссии носителей заряда с двухуровневой ловушки. Показаны характерные особенности в распределении статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности, когда два близко расположенных уровня принадлежат двум различным зарядовым состояниям одного и того же центра.
Проводится анализ известных фотолитографических методов формирования на поверхности подложек рисунков малоразмерных элементов рельефа, получаемых с использованием двукратного экспонирования фоторезистивных слоев в виде наложения экспозиций фоторезиста и в виде наложения фоторезистивных масок. Отмечены недостатки, присущие указанным методам, а также приведена схема усовершенствованного процесса фотолитографии, позволяющая избежать отмеченных недостатков и получить элементы топологического рельефа с размерами менее … Прочесть целиком →