Доцент кафедры электроники и наноэлектроники ФГБОУ ВО «Мордовский государственный университет им. Н. П. Огарёва», кандидат физико-математических наук. E-mail: microelektro@mail.ru.
В статье приводится описание эффектов, оказывающих негативное влияние на величину напряжения лавинного пробоя. Проведено моделирование планарного p–n перехода с ограничительным кольцом в режиме лавинного пробоя с целью оптимизации защиты структуры от поверхностного пробоя.
В статье приводится описание усовершенствованной методики исследования глубоких центров в микроплазменных каналах по статистической задержке лавинного пробоя p–n-перехода. Предлагается изменить форму импульсов напряжения подаваемых на p–n-переход таким образом, чтобы исключить полевую перезарядку глубоких центров в области сильного электрического поля.
Приведено описание метода и установки для исследования микроплазменного пробоя p–n-перехода. Показано, что задержка лавинного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах p–n-переходов, что невозможно определить другими методами.
Анализируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в p–n-переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в случае эмиссии носителей заряда с двухуровневой ловушки. Показаны характерные особенности в распределении статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности, когда два близко расположенных уровня принадлежат двум различным зарядовым состояниям одного и того же центра.
В статье рассматривается метод микроплазменной спектроскопии глубоких уровней. Метод анализируется для случая сильной полевой зависимости коэффициентов эмиссии.