Огарёв-online

глубокие центры

• Методика исследования глубоких центров по задержке лавинного пробоя p-n-перехода в случае сильной полевой зависимости коэффициентов эмиссии

  Опубликовано 07.11.2022 в 15:13
  Автор: Ионычев Валерий Константинович,Мушкетов Евгений Валерьевич,Черашев Денис Михайлович
  Ключевые слова: p-n-переход, глубокие центры, задержка микроплазменного пробоя, Коэффициент эмиссии, лавинный пробой, микроплазма
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 13

  В статье приводится описание усовершенствованной методики исследования глубоких центров в микроплазменных каналах по статистической задержке лавинного пробоя p–n-перехода. Предлагается изменить форму импульсов напряжения подаваемых на p–n-переход таким образом, чтобы исключить полевую перезарядку глубоких центров в области сильного электрического поля.

• Автоматизированная установка для исследования микроплазменного пробоя в p–n-переходах

  Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
  Автор: Ионычев Валерий Константинович,Кадеркаев Руслан Рястямович,Симдянкин Михаил Иванович,Шестеркина Александра Алексеевна
  Ключевые слова: глубокие центры, задержка лавинного пробоя, микроплазменный пробой
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 18

  Приведено описание метода и установки для исследования микроплазменного пробоя p–n-перехода. Показано, что задержка лавинного пробоя позволяет определять параметры глубоких центров, локализованных в микроплазменных каналах p–n-переходов, что невозможно определить другими методами.

• Задержка пробоя микроплазмы в p–n-переходе при эмиссии носителей заряда с двухуровнего центра

  Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
  Автор: Ионычев Валерий Константинович,Кадеркаев Руслан Рястямович,Швецов Александр Сергеевич,Шестеркина Александра Алексеевна
  Ключевые слова: включение микроплазмы, глубокие центры, зарядовое состояние центра, статистическая задержка пробоя, эмиссия носителей заряда
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 18

  Анализируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в p–n-переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в случае эмиссии носителей заряда с двухуровневой ловушки. Показаны характерные особенности в распределении статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности, когда два близко расположенных уровня принадлежат двум различным зарядовым состояниям одного и того же центра.