Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
УДК: 621.382.2
В статье рассматривается метод микроплазменной спектроскопии глубоких уровней. Метод анализируется для случая сильной полевой зависимости коэффициентов эмиссии.
A METHOD TO STUDY THE DEEP-LEVEL TRAPPIG BASED ON THE p-n-JUNCTION AVALANCHE BREAKDOWN DELAY
The article considers the deep-level microplasma method. The method is analyzed in case of the electric field influence on the carrier emission coefficients.
Библиографический список
Библиографический список
1. Грехов И. В., Сережкин Ю. Н. Лавинный пробой в полупроводниках. – Л. : Энергия, 1980. – 152 с.
2. Булярский С. В., Сережкин Ю. Н., Ионычев В. К. Статистическая задержка пробоя микроплазмы в фосфидгаллиевых p-n-переходах // ФТП. – 1999. – Т. 33. –№. 11. – С. 1345–1349.
3. Ионычев В. К., Ребров А. Н. Исследование глубоких центров в микроплазменных каналах кремниевых лавинных эпитаксиальных диодов // ФТП. – 2009. – Т. 43. – №. 7. – С. 980–984.
4. Булярский С. В., Грушко Н. В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. – М. : Изд-во Моск. ун-та, 1995. – 391 с.
Выходные данные статьи: Зинкин С. Д., Ионычев В. К. Метод исследования глубоких центров по задержке лавинного пробоя p-n-переходов [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №22. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/metod-issledovaniya-glubokikh-centrov-po-zaderzhke-lavinnogo-proboya-p-n-perekhodov