Огарёв-online

Бухаров Александр Александрович

• Особенности применения технологии двукратного экспонирования однослойного фоторезиста при изготовлении полупроводниковых ИЭТ и фотошаблонов

  Опубликовано 08.05.2015 в 23:18
  Автор: Бухаров Александр Александрович,Фролов Константин Александрович,Шестеркина Александра Алексеевна
  Предмет: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем
  Ключевые слова: малоразмерные элементы, однослойный фоторезист, последовательное двукратное экспонирование, схема фотолитографического процесса., фотолитография
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 11

  Проводится анализ известных фотолитографических методов формирования на поверхности подложек рисунков малоразмерных элементов рельефа, получаемых с использованием двукратного экспонирования фоторезистивных слоев в виде наложения экспозиций фоторезиста и в виде наложения фоторезистивных масок. Отмечены недостатки, присущие указанным методам, а также приведена схема усовершенствованного процесса фотолитографии, позволяющая избежать отмеченных недостатков и получить элементы топологического рельефа с размерами менее … Прочесть целиком →