Опубликовано 09.07.2019 в 20:52
УДК: 621.382.037.37
Статья посвящена исследованию влияния конструкции диода включения на напряжение включения тиристоров с самозащитой от перенапряжения. Рассматриваются результаты физико-топологического моделирования
SIMULATION OF DEPENDENCE OF SWITCHING VOLTAGE OF HIGH-VOLTAGE THYRISTORS ON CONSTRUCTION OF BREAKOVER DIODE
The article is devoted to the study of the influence of the breakover diode construction on the switching voltage of thyristors with self-protection against overvoltage. The results of a physical and topological simulation are provided.
Библиографический список
Библиографический список
1. Пат. 5455434 США, МПК H 01 L 29 / 743, Thyristor with breakdown region / F. Pfirsch; заявитель и правообладатель Siemens Aktiengesellschaft – № 19930059492; заявл. 10.05.1993; опубл. 03.10.1995. – 5 с.
2. Niedernostheide F. -J., Schulze H.-J., Kellner-Werdehausen U., Dorn J., Westerholt D. Light-Triggered Thyristors with Integrated Protection Functions // Power Semiconductor Devices and ICs. – 2000. – Vol. 12. – P. 267–270.
3. Sentaurus Structure Editor User Guide. Synopsis TCAD Release 10.0., 2017. – 880 p.
4. Sentaurus Device User Guide. Synopsis TCAD Release 10.0, 2017. – 1546 p.
Выходные данные статьи: Кирдяшкин Н. Н., Падеров В. П. Моделирование зависимости напряжения включения высоковольтных тиристоров от конструкции встроенного диода включения [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2019. – №11. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/modelirovanie-zavisimosti-napryazheniya-vklyucheniya-vysokovoltnyx-tiristorov-ot-konstrukcii-vstroennogo-dioda-vklyucheniya