Кандидат физико-математических наук, доцент кафедры электроники и наноэлектроники ФГБОУ ВО «МГУ им. Н.П. Огарёва». Область научных интересов — проектирование интегральных микросхем; физика полупроводниковых структур. E-mail: paderov@mail.ru.
Статья посвящена исследованию влияния конструкции диода включения на напряжение включения тиристоров с самозащитой от перенапряжения. Рассматриваются результаты физико-топологического моделирования
В программе «Saber» проведено моделирование влияния времени жизни носителей заряда в базовых областях тиристора на мощность коммутационных потерь в тиристорах в схеме инвертора тока при их последовательном соединении. Исследовано влияние разброса зарядов обратного восстановления и времен жизни в последовательном соединении тиристоров при последовательном соединении на коммутационные потери. Рассчитан относительный перегрев тиристоров, возникающий из-за разброса параметров.