Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
УДК: 621.382.233
В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.
HIGH-SPEED AND HIGH-VOLTAGE GAAS DIODES FOR POWER ELECTRONICS
The article presents the research results of relatively new semiconductor devices ‒ high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes for high-performance power electronics. The authors consider the general technical requirements for high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes as well as the basic electrical characteristics of experimental GaAs p-i-n-diodes.
Библиографический список
Библиографический список
1. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Чем заменить SiC-диоды Шоттки? // Силовая электроника. ‒ 2009. ‒ № 5. ‒ С. 15‒19.
2. Кесаманлы Ф. П., Наследова Д. Н. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение. – М.: Наука, 1973. – 471 с.
3. Войтович В., Гордеев А., Думаневич А. Новые отечественные высоковольтные p-i-n-GaAs-диоды // Силовая электроника. – 2010. ‒ № 2. ‒ С. 16‒19.
4. Герлах В. Тиристоры / пер. с нем. ‒ М.: Энергоатомиздат, 1985. ‒ 328 с.
5. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х кн. – Кн. 1. / пер. с англ. ‒ 2-е изд., перераб. и доп. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
Выходные данные статьи: Сурайкин А. И., Федотов Е. Н. Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №22. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/bystrodejjstvuyushhie-vysokovoltnye-gaas-diody-dlya-silovojj-ehlektroniki