p-i-n-структура « Огарёв-online

p-i-n-структура

Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники

Опубликовано 15.07.2014 в 13:27

Автор: Сурайкин Александр Иванович,Федотов Евгений Николаевич

Ключевые слова: p-i-n-структура, время обратного восстановления., максимальное обратное напряжение, максимальный прямой ток, силовой диод

Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 22

В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.