Опубликовано 23.11.2022 в 22:18
УДК: 519.62
Статья посвящена численному моделированию колебаний мембранного потенциала и воротных переменных в модели Ходжкина-Хаксли. Особое внимание уделяется исследованию изменения входного тока на нейронах, от которого зависит способность нейронов к обучению и запоминанию информации.
NUMERICAL SIMULATION OF NEURAL NETWORK BASED ON HODGKIN-HUXLEY MODEL
The article deals with numerical simulation of membrane potential fluctuations and gate variables in the Hodgkin-Huxley model. Particular attention is paid to the study of changes in the input current on neurons, which determines the ability of neurons to learn and remember information.
Библиографический список
Библиографический список
1. Никифоров А. С., Гусев Е. И. Общая неврология: учебное пособие. – М.: ГЭОТАР-Медиа, 2007. – 720 с.
2. Шульговский В. В. Основы нейрофизиологии: учебное пособие для студентов вузов. – М.: Аспект Пресс, 2000. – 277 с.
3. Hodgkin A. L., Huxley A. F. Currents carried by sodium and potassium ions through the membrane of the giant axon of Loligo // Journal of Physiology. – 1952. – pp. 449–472.
Выходные данные статьи: Кутыркина М. А., Мамедова Т. Ф. Численное моделирование нейронной сети на основе модели Ходжкина-Хаксли [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2022. – №14. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/chislennoe-modelirovanie-nejronnoj-seti-na-osnove-modeli-xodzhkina-xaksli