Уважаемые коллеги, полнотекстовая версия Электронного периодического издания для студентов и аспирантов «Огарёв-online» включена в научную электронную библиотеку КиберЛенинка. КиберЛенинка — это … Прочесть целиком →
силовой транзистор
-
О влиянии разброса параметров прямой вольт-амперной характеристики силовых транзисторов на температуру их полупроводниковой структуры
Опубликовано 29.10.2016 в 09:56В статье представлены результаты измерения параметров прямой вольт-амперной характеристики у серии из 50 IGBT транзисторов одного наименования. Приведены гистограммы разброса параметров по образцам при 20 ºС и 100 ºС. На основании математических расчетов спрогнозирована температура полупроводниковой структуры каждого транзистора из серии и сделаны выводы о влиянии разброса параметров на температуру.