Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
УДК: 621.382.037.37
Представлены результаты разработки и исследования полупроводниковых мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов для широкого применения в высокочастотной аппаратуре. Приводятся общие технические требования к GaAs-варикапам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов.
VARACTOR DIODES BASED ON MULTILAYER EPITAXIAL GaAs-COMPOSITION FOR HIGH-FREQUENCY EQUIPMENT
The article presents the results of designing and studying of semiconductor mesaepitaxial GaAs-varactor diodes for general application in high-frequency equipment. The study provides the general technical requirements for GaAs-varactor diodes and the electrical parameters of the experimental mesaepitaxial GaAs-varactor diodes.
Библиографический список
Библиографический список
1. Сурайкин А. И. Быстродействующие высоковольтные GaAs-диоды для преобразовательной техники и импульсных устройств // Электроника и электрооборудование транспорта. – 2015. – № 2. – С. 35–37.
2. Сурайкин А. И., Федотов Е. Н. Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – № 22. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/bystrodejjstvuyushhie-vysokovoltnye-gaas-diody-dlya-silovojj-ehlektroniki.
3. Арсенид галлия. Получение, свойства, применение / Под ред. Ф. П. Кесаманлы, Д. Н. Наследова. – М.: Наука, 1973. – 472 с.
4. Зи С. Физика полупроводниковых приборов: В 2-х книгах. Кн. 1. / Пер. с англ. – 2-е перераб. и доп. изд. – М.: Мир, 1984. – 456 с.
5. Уотсон Г. СВЧ-полупроводниковые приборы и их применение / Под ред. Г. Уотсона. – М.: Мир, 1972. – 662 с.
Выходные данные статьи: Суменков А. Н., Сурайкин А. И. Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2016. – №18. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/varikapy-na-osnove-mnogoslojnyx-epitaksialnyx-gaas-struktur-dlya-vch-apparatury