Схемотехнический синтез и моделирование блока потенциальной защиты выходного каскада микросхемы управления мощным МОП-транзистором

Опубликовано 07.11.2022 в 15:13
УДК: 621.311.62:621.327.2

Описаны результаты синтеза и моделирования цепи потенциальной защиты выходного каскада в микросхеме управления мощным МОП-транзистором. Предлагается схемотехническое решение для разработки микросхемы-драйвера на основе биполярной технологии с ВИД-процессом.

CURCUIT ENGINEERING DESIGN AND SIMULATION OF POTENTIAL PROTECTION BLOCK OF THE OUTPUT BUFFER OF POWER MOSFET CONTROL IC

The article describes the results of the developing and simulation of the potentialprotection of the output buffer circuits in the control integrated circuits of a power MOSFET. The circuit design solution is proposed for the development of an IC driver based on a bipolar VID process technology.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Кудряшов А. Д., Лабутин М. С., Сурайкин А. И., Сурайкин А. А. Схемотехнический синтез и моделирование блока потенциальной защиты выходного каскада микросхемы управления мощным МОП-транзистором [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2022. – №13. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/sxemotexnicheskij-sintez-i-modelirovanie-bloka-potencialnoj-zashhity-vyxodnogo-kaskada-mikrosxemy-upravleniya-moshhnym-mop-tranzistorom