Опубликовано 14.01.2014 в 20:46
УДК: 681.785.5333.4
В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Представлены результаты измерений стандартным методом DLTS на кремниевых диодах легированных золотом, полученные с помощью установки DLS-83
Realization of Deep Level Transient Spectroscopy Method in Semiconductors on DLS-83D Measuring Device
The article describes the deep level transient spectroscopy method. Particularly, it presents the measurement results obtained by the conventional DLTS method on gold doped silicon diodes by using of DLS-83D measuring device.
Библиографический список
Библиографический список
1. Булярский С.В., Грушко Н.В. Генерационно-рекомбинационные процессы в активных элементах. – М.: Изд-во Моск. ун-та – 1995. – 391 с.
2. Lang D.V. Deep level transient spectroscopy: A new method to characterize traps in semiconductors // J. Appl. Phys. – vol. 45. – 1974.
3. Булярский С.В., Сережкин Ю.Н., Ионычев В.К. Определение параметров глубоких уровней по релаксационной задержке пробоя p-n-перехода // Физика и техника полупроводников. – .33. – вып. 4. – 1999.
4. Defect DLTS Signal Standard Database – [ Электронный ресурс] . – Режим доступа: http://www.laplacedlts.eu/defect/
Выходные данные статьи: Зинкин С. Д. Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках на установке DLS-83D [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №3. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/realizaciya-metoda-nestacionarnojj-spektroskopii-glubokikh-urovnejj-v-poluprovodnikakh-na-ustanovke-dls-83d