Опубликовано 18.12.2021 в 23:14
УДК: 621.382.2.3
В статье рассмотрены основные проблемы создания высокоэффективных источников ультрафиолетового излучения на основе гетероструктур. Указаны основные физические эффекты, ограничивающие эффективность прибора, такие как эффект стягивания тока в близи металлических контактов, а также явление полного внутреннего отражения излучения, сгенерированного в активной области. Определён перечень следующих научно-технических задач, требуемых решения для создания высокоэффективных источников УФ излучения на основе гетероструктур с множественными квантовыми ямами.
PROBLEMS OF CREATING HIGH-EFFICIENCY SOURCES OF ULTRAVIOLET RADIATION BASED ON HETEROSTRUCTURES
The main problems of creating highly efficient sources of ultraviolet radiation based on heterostructures are considered in the article. the main physical effects are indicated, limiting the efficiency of the device, such as the effect of current constriction in the vicinity of metal contacts, as well as the phenomenon of total internal reflection of radiation generated in the active region. The list of the following scientific and technical problems is determined, the required solutions for the creation of highly efficient UV radiation sources based on heterostructures with multiple quantum wells.
Библиографический список
Библиографический список
1. Шуберт Ф. Е. Светодиоды / Пер. с англ. под ред. Юновича А. Э. – М.: Физматлит. 2008. – 495 с.
2. Шевченко Е. А. Квантово-размерный эффект Штарка и локализация носителей в квантовых ямах AlGaN/AlGaN с различной морфологией // Физика и техника полупроводников. – 2012. – Т. 46. – №8. – С.1022–1026.
3. Wood C., Jena D. Polarization Effects in Semiconductors: From Initio Theory to Device Applications. – N.Y.: Springer, 2008. – 515 p.
4. Шалдин Ю. В., Matyjasik S. Пироэлектрические свойства широкозонного полупроводника AlN в области 4.2-300 К // Физика и техника полупроводников. – 2011. – Т. 45. – № 9. – С. 1159–1165.
5. Супрядкина И. А., Абгарян К. К., Баженов Д. И., Мутигуллин И.В. Исследование поляризаций нитридных соединений ( ) и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе. // Физика и техника полупроводников. – 2013. – Т. 47. – № 12. – С.1647–1651.
6. Davydov V. N. Polarization properties of the InGaN/GaN heterostructures under heating // Russian Physics Journal. – 2015. – Vol. 57. – No. 12. – P. 1648–1457.
7. Давыдов В. Н. Основы кристаллографии и кристаллофизики. Часть 2. Физические свойства кристаллов. – Lambert Academic Press; Издательско-книготорговый центр «Академкнига», 2014. – 92 с.
8. Давыдов В. Н., Задорожный О. Ф., Лапин А. И. Фононный спектр гетероструктуры с множественными квантовыми ямами // Изв. вузов. Физика. – 2020. – Т. 64. – № 4.
9. Davydov V. N., Karankevich O. A. Capture and emission of charge carriers by quantum well // Russian Physics Journal. – 2018. – Vol.61. – No. 2. – P. 223–231.
10. Давыдов В. Н., Задорожный О. Ф., Туев В. И., Солдаткин В. С., Давыдов М. В., Вилисов А. А. Патент РФ. Светодиодная гетероструктура с квантовыми ямами комбинированного профиля. RU 2 729 046 C1. Рег. номер 2019123050 от 17.07.2019.
11. Давыдов В. Н., Туев В. И., Афонин К. Н., Солдаткин В. С., Давыдов М. В., Вилисов А. А. Патент РФ. Светодиодный источник излучения. RU 2 723 967 61 C1. Заявка № 2019133066 от 16.06.2019.
Выходные данные статьи: Гущин Д. В., Капитонов С. С., Солдаткин В. С., Туев В. И. Проблемы создания высокоэффективных источников ультрафиолетового излучения на основе гетероструктур [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2021. – №14. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/problemy-sozdaniya-vysokoeffektivnyx-istochnikov-ultrafioletovogo-izlucheniya-na-osnove-geterostruktur