Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
УДК: 621.382.233
В программе «Saber» проведено моделирование влияния времени жизни носителей заряда в базовых областях тиристора на мощность коммутационных потерь в тиристорах в схеме инвертора тока при их последовательном соединении. Исследовано влияние разброса зарядов обратного восстановления и времен жизни в последовательном соединении тиристоров при последовательном соединении на коммутационные потери. Рассчитан относительный перегрев тиристоров, возникающий из-за разброса параметров.
MODELING OF THE INFLUENCE OF THYRISTOR MODEL PARAMETERS ON ITS SWITCHING LOSSES IN THE CURRENT INVERTER CIRCUIT
The software "Saber" was used to study the dependence of the carrier lifetime in the thyristor drift-regions on its switching power losses in the current invertor circuits with serial connection. The influence of the reverse recovery charge and carrier lifetime dispersion in the thyristors with serial connection on the switching losses was studied. The thyristor relative overheat connected to the dispersion of parameters was calculated.
Библиографический список
Библиографический список
1. Ma C. L., Lauritzen P. O., Sigg J. Modeling of High-Power Thyristors Using the Lumped-Charge Modeling Technique // 6th European Conference on Power Electronics and Applications. – 1995. – Vol. 2. – pp. 15–21.
2. Baliga B. J. Fundamentals of Power Semiconductor Devices. – NY.: Springer, 2008. – 1069 p.
3. Akiyama H., Kondoh H., Satoh K., Nakagawa T., Fujimoto T., Iwashita Y., Inoue M. Lifetime Control in Thyristors by Proton Irradiation // Bulletin of the Institute for Chemical Research. – Kyoto: Kyoto University, 1992. – pp. 55–60.
4. Siemieniec R., Lutz J. Axial Lifetime Control by Radiation Induced Centres in Fast Recovery Diodes. – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.broeselsworld.de/image/work/isps2002_1_save.pdf.
5. Carlson R. O., Sun Y.S., Assalit H.B. Lifetime Control in Silicon Power Devices by Electron or Gamma Irradiation // IEEE Transactions on Electron Devices. – 1977. – Vol. ED–24, № 8. – pp. 1103–1108.
6. Дерменжи П. Г., Кузьмин В. А., Крюкова Н. Н., Мамонов В. И., Павлик В. Я., Крюкова Н. Н. и др. Расчёт силовых полупроводниковых приборов. – М.: Энергия, 1980. – 184 с.
7. Абрамович М. И., Бабайлов В. М., Либер В. Е. Диоды и тиристоры в преобразовательных установках. – М.: Энергоатомиздат, 1992. – 432 с.
8. Fast switching thyristor TFI173-2000: справочные данные на тиристор ТБИ-173 ОАО «Электровыпрямитель». – [Электронный ресурс]. – Режим доступа: http://www.elvpr.ru/en/poluprovodnikprib/tiristory/TFI173-2000%20(EN).pdf.
Выходные данные статьи: Падеров В. П., Силкин Д. С. Моделирование влияния параметров модели тиристора на коммутационные потери в схеме инвертора тока [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №22. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/modelirovanie-vliyaniya-parametrov-modeli-tiristora-na-kommutacionnye-poteri-v-skheme-invertora-toka