Уважаемые коллеги, полнотекстовая версия Электронного периодического издания для студентов и аспирантов «Огарёв-online» включена в научную электронную библиотеку КиберЛенинка. КиберЛенинка — это … Прочесть целиком →
зарядовое состояние центра
-
Задержка пробоя микроплазмы в p–n-переходе при эмиссии носителей заряда с двухуровнего центра
Опубликовано 29.10.2016 в 09:56Анализируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в p–n-переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в случае эмиссии носителей заряда с двухуровневой ловушки. Показаны характерные особенности в распределении статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности, когда два близко расположенных уровня принадлежат двум различным зарядовым состояниям одного и того же центра.