Огарёв-online

Сурайкин Александр Иванович

• Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры

  Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
  Автор: Суменков Александр Николаевич,Сурайкин Александр Иванович
  Предмет: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем
  Ключевые слова: арсенид галлия, варикап, добротность, ёмкость, коэффициент перекрытия по ёмкости., мезаэпитаксиальная структура
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 18

  Представлены результаты разработки и исследования полупроводниковых мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов для широкого применения в высокочастотной аппаратуре. Приводятся общие технические требования к GaAs-варикапам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов.

• Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники

  Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
  Автор: Сурайкин Александр Иванович,Федотов Евгений Николаевич
  Предмет: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем
  Ключевые слова: p-i-n-структура, время обратного восстановления., максимальное обратное напряжение, максимальный прямой ток, силовой диод
  Выпуск: Элементная база, аппаратные и программные средства технических систем - Выпуск 22

  В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.