Задержка пробоя микроплазмы в p–n-переходе при эмиссии носителей заряда с двухуровнего центра

Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
УДК: 621.382.2

Анализируется влияние глубоких центров на статистическую задержку пробоя микроплазмы в p–n-переходе. Проведен численный расчет вероятности включения микроплазмы в случае эмиссии носителей заряда с двухуровневой ловушки. Показаны характерные особенности в распределении статистической задержки пробоя микроплазмы по длительности, когда два близко расположенных уровня принадлежат двум различным зарядовым состояниям одного и того же центра.

MICROPLASMA BREAKDOWN DELAY IN P–N JUNCTION DUE TO CHARGE CARRIERS EMISSION FROM TWO-LEVEL CENTER

The paper provides an analysis of the effect of deep centers on the static delay of microplasma breakdown in p–n junction. The research includes a numerical calculation of the probability of microplasma turn-on if charge carriers emission from the two-level trap takes place. The features of distribution in time of the static delay of microplasma breakdown were defined, when two close-located levels are owned by two different charge states of the same center.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Ионычев В. К., Кадеркаев Р. Р., Швецов А. С., Шестеркина А. А. Задержка пробоя микроплазмы в p–n-переходе при эмиссии носителей заряда с двухуровнего центра [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2016. – №18. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/zaderzhka-proboya-mikroplazmy-v-pn-perexode-pri-emissii-nositelej-zaryada-s-dvuxurovnego-centra