Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры

Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
УДК: 621.382.037.37

Представлены результаты разработки и исследования полупроводниковых мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов для широкого применения в высокочастотной аппаратуре. Приводятся общие технические требования к GaAs-варикапам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов мезаэпитаксиальных GaAs-варикапов.

VARACTOR DIODES BASED ON MULTILAYER EPITAXIAL GaAs-COMPOSITION FOR HIGH-FREQUENCY EQUIPMENT

The article presents the results of designing and studying of semiconductor mesaepitaxial GaAs-varactor diodes for general application in high-frequency equipment. The study provides the general technical requirements for GaAs-varactor diodes and the electrical parameters of the experimental mesaepitaxial GaAs-varactor diodes.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Суменков А. Н., Сурайкин А. И. Варикапы на основе многослойных эпитаксиальных GaAs-структур для ВЧ-аппаратуры [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2016. – №18. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/varikapy-na-osnove-mnogoslojnyx-epitaksialnyx-gaas-struktur-dlya-vch-apparatury