Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках на установке DLS-83D

Опубликовано 14.01.2014 в 20:46
УДК: 681.785.5333.4

В статье описывается метод нестационарной спектроскопии глубоких уровней. Представлены результаты измерений стандартным методом DLTS на кремниевых диодах легированных золотом, полученные с помощью установки DLS-83

Realization of Deep Level Transient Spectroscopy Method in Semiconductors on DLS-83D Measuring Device

The article describes the deep level transient spectroscopy method. Particularly, it presents the measurement results obtained by the conventional DLTS method on gold doped silicon diodes by using of DLS-83D measuring device.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Зинкин С. Д. Реализация метода нестационарной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках на установке DLS-83D [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №3. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/realizaciya-metoda-nestacionarnojj-spektroskopii-glubokikh-urovnejj-v-poluprovodnikakh-na-ustanovke-dls-83d