Особенности применения технологии двукратного экспонирования однослойного фоторезиста при изготовлении полупроводниковых ИЭТ и фотошаблонов

Опубликовано 08.05.2015 в 23:18
УДК: 621.382.2

Проводится анализ известных фотолитографических методов формирования на поверхности подложек рисунков малоразмерных элементов рельефа, получаемых с использованием двукратного экспонирования фоторезистивных слоев в виде наложения экспозиций фоторезиста и в виде наложения фоторезистивных масок. Отмечены недостатки, присущие указанным методам, а также приведена схема усовершенствованного процесса фотолитографии, позволяющая избежать отмеченных недостатков и получить элементы топологического рельефа с размерами менее 1 мкм.

THE FEATURES OF MONOLAYER PHOTORESIST DOUBLE EXPOSURE FOR MANUFACTURING OF SEMICONDUCTOR DEVICES AND PHOTOMASKS

The article presents an analysis of popular photolithographic methods of the formation of small-size elements on the substrate surface by using of double photoresist exposure obtained by imposing of photoresist layers and masks. The shortcomings of the methods are pointed out. In this connection, an improved scheme of photolithography technological process is suggested. It allows avoiding the shortcomings and obtaining small-size elements of less than 1 mcm.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Бухаров А. А., Фролов К. А., Шестеркина А. А. Особенности применения технологии двукратного экспонирования однослойного фоторезиста при изготовлении полупроводниковых ИЭТ и фотошаблонов [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2015. – №11. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/osobennosti-primeneniya-texnologii-dvukratnogo-eksponirovaniya-odnoslojnogo-fotorezista-pri-izgotovlenii-poluprovodnikovyx-iet-i-fotoshablonov