Определение параметров собственных тепловых импедансов силовых кристаллов IGBT-модуля

Опубликовано 09.07.2019 в 20:52
УДК: 621.315.592.9

В статье рассматривается тепловая модель IGBT-модуля на основе дискретного представления СПП. Предложен подход к определению собственных тепловых импедансов силовых кристаллов в составе IGBT-модуля для формирования тепловой модели на основе электротепловой аналогии. Данная модель учитывает зависимость теплового сопротивления и тепловой ёмкости силового кристалла от его расположения в модуле.

PARAMETER DEFINITION OF THERMAL SELF-IMPEDANCES OF IGBT MODULE POWER DEVICES

The article considers the thermal model of IGBT module based on the discrete representation of transistors and diodes. The authors propose an approach to definition of thermal self-impedances of power devices of IGBT module for the formation of a thermal model by electrothermal analogy. This model considers the dependence of thermal resistance and thermal capacity of power device on its location in the module.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Вилков Е. А., Ильин М. В. Определение параметров собственных тепловых импедансов силовых кристаллов IGBT-модуля [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2019. – №11. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/opredelenie-parametrov-sobstvennyx-teplovyx-impedansov-silovyx-kristallov-igbt-modulya