О влиянии разброса параметров прямой вольт-амперной характеристики силовых транзисторов на температуру их полупроводниковой структуры

Опубликовано 29.10.2016 в 09:56
УДК: 621.382.3

В статье представлены результаты измерения параметров прямой вольт-амперной характеристики у серии из 50 IGBT транзисторов одного наименования. Приведены гистограммы разброса параметров по образцам при 20 ºС и 100 ºС. На основании математических расчетов спрогнозирована температура полупроводниковой структуры каждого транзистора из серии и сделаны выводы о влиянии разброса параметров на температуру.

ON THE EFFECT OF PARAMETER SPREAD OF DIRECT CURRENT-VOLTAGE CHARACTERISTIC OF POWER TRANSISTORS ON TEMPERATURE OF SEMICONDUCTOR STRUCTURE

The article presents the measurement results of the parameters of the direct current-voltage characteristics in a series of 50 IGBT transistors of the same name. The histograms of parameter spread on samples at 20 °C and 100 °C are included. Bу means of mathematical calculations the temperature of the semiconductor structure of each transistor of the series was predicted. The conclusions about the effect of the parameter spread on the semiconductor temperature were made.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Новиков Д. П. О влиянии разброса параметров прямой вольт-амперной характеристики силовых транзисторов на температуру их полупроводниковой структуры [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2016. – №18. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/o-vliyanii-razbrosa-parametrov-pryamoj-volt-ampernoj-xarakteristiki-silovyx-tranzistorov-na-temperaturu-ix-poluprovodnikovoj-struktury