Моделирование зависимости напряжения включения высоковольтных тиристоров от конструкции встроенного диода включения

Опубликовано 09.07.2019 в 20:52
УДК: 621.382.037.37

Статья посвящена исследованию влияния конструкции диода включения на напряжение включения тиристоров с самозащитой от перенапряжения. Рассматриваются результаты физико-топологического моделирования

SIMULATION OF DEPENDENCE OF SWITCHING VOLTAGE OF HIGH-VOLTAGE THYRISTORS ON CONSTRUCTION OF BREAKOVER DIODE

The article is devoted to the study of the influence of the breakover diode construction on the switching voltage of thyristors with self-protection against overvoltage. The results of a physical and topological simulation are provided.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Кирдяшкин Н. Н., Падеров В. П. Моделирование зависимости напряжения включения высоковольтных тиристоров от конструкции встроенного диода включения [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2019. – №11. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/modelirovanie-zavisimosti-napryazheniya-vklyucheniya-vysokovoltnyx-tiristorov-ot-konstrukcii-vstroennogo-dioda-vklyucheniya