Критерий стабильности для полупроводниковой сверхрешетки с омическим контактом

Опубликовано 30.12.2014 в 18:02
УДК: 538.958

В работе рассмотрен критерий устойчивости усиления высокочастотного электромагнитного излучения в полупроводниковой сверхрешетке с минизонным транспортным режимом в классической схеме усиления. Показано, что омическое граничное условие дает критерий стабильности, отличный от хорошо известного критерия, связанного с отрицательной дифференциальной проводимостью (ОДП), что дает надежду получить стабильное усиление и в некоторой области ОДП при определенных параметрах системы.

STABILITY CRITERION FOR SEMICONDUCTOR SUPERLATTICE WITH OHMIC CONTACT

The paper considers the stability criterion of the gain of high-frequency electromagnetic radiation in semiconductor superlattice with miniband transport mode in the standard gaining scheme. The study shows that the Ohmic boundary condition gives the criterion different from the one connected with the negative different conductivity (NDC). It gives hope to get the stable gain in some region of NDC under certain system parameters.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Алексеев К. Н., Прудских Н. С., Шорохов А. В. Критерий стабильности для полупроводниковой сверхрешетки с омическим контактом [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – Спецвыпуск. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/kriterijj-stabilnosti-dlya-poluprovodnikovojj-sverkhreshetki-s-omicheskim-kontaktom