Быстрое термическое окисление карбида кремния

Опубликовано 14.01.2014 в 20:46
УДК: 621.921.27 : 542.943

В статье рассматриваются особенности процесса термического окисления карбида кремния, в частности, низкие темпы роста оксидной пленки на поверхности карбида кремния и обсуждаются способы быстрого окисления пластин карбида кремния

Rapid Thermal Oxidation of Silicon Carbide

The article considers the peculiarities of the process of silicon carbide thermal oxidation. Particularly, the authors focus on the low growth rate of oxide film on the surface of silicon carbide. In this connection the methods of rapid oxidation of silicon carbide plates are considered.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Ивенин С. В., Крестьянсков Ф. Ю. Быстрое термическое окисление карбида кремния [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №3. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/bystroe-termicheskoe-okislenie-karbida-kremniya