Опубликовано 14.01.2014 в 20:46
УДК: 621.921.27 : 542.943
В статье рассматриваются особенности процесса термического окисления карбида кремния, в частности, низкие темпы роста оксидной пленки на поверхности карбида кремния и обсуждаются способы быстрого окисления пластин карбида кремния
Rapid Thermal Oxidation of Silicon Carbide
The article considers the peculiarities of the process of silicon carbide thermal oxidation. Particularly, the authors focus on the low growth rate of oxide film on the surface of silicon carbide. In this connection the methods of rapid oxidation of silicon carbide plates are considered.
Библиографический список
Библиографический список
1. Основы технологии кремниевых интегральных схем: окисление, диффузия, эпитаксия / под ред. Р. Бургера и Р. Донована ; пер. с англ.. - М.: Из-во М.: Мир., 1969.
2. Baliga B. J. Silicon Carbide Power Devices. - World Scientific, 2005.
3. Silicon Carbide. Materials, Processing and Applications in Electronic Devices / Edited by Moumita Mukherjee, Published by InTech, 2011.
4. Constant A., Camara N., Godignon P., Berthou M., Camessel J., Decams J.-M. Rapid and efficient oxidation process of SiC by in-situ multiple RTP steps. Silicon Carbide and Related Materials – 2009, Materials Science Forum Vols. 645-648 (2010) – pp. 817-820.
5. Рембеза С. И. Рябинина И.А., Тимохин Д.П. Термическое окисление SiC. Химия твердого тела и современные микро и нанотехнологии // VII Международная конференция. – Кисловодск – Ставрополь: СевКавГТУ, 2007. – С.212-216.
6. Das M. K. Recent advances in (0001) 4H-SiC MOS Devices Technology. Silicon Carbide and Related Materials - 2003, Materials Science Forum. – Vols 457-460 (2004).– pp. 1275-1280.
Выходные данные статьи: Ивенин С. В., Крестьянсков Ф. Ю. Быстрое термическое окисление карбида кремния [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №3. – Режим доступа: https://journal.mrsu.ru/arts/bystroe-termicheskoe-okislenie-karbida-kremniya