Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники

Опубликовано 15.07.2014 в 13:27
УДК: 621.382.233

В статье приводятся результаты исследования относительно нового класса полупроводниковых приборов ‒ быстродействующих высоковольтных GaAs p-i-n-диодов для высокоэффективной силовой электроники. Приводятся общие технические требования к быстродействующим высоковольтным GaAs p-i-n-диодам, а также основные электрические параметры и характеристики экспериментальных образцов GaAs p-i-n-диодов.

HIGH-SPEED AND HIGH-VOLTAGE GAAS DIODES FOR POWER ELECTRONICS

The article presents the research results of relatively new semiconductor devices ‒ high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes for high-performance power electronics. The authors consider the general technical requirements for high-speed and high-voltage GaAs p-i-n-diodes as well as the basic electrical characteristics of experimental GaAs p-i-n-diodes.

Библиографический список
Выходные данные статьи: Сурайкин А. И., Федотов Е. Н. Быстродействующие высоковольтные GAAS диоды для силовой электроники [Электронный ресурс] // Огарев-online. – 2014. – №22. – Режим доступа: http://journal.mrsu.ru/arts/bystrodejjstvuyushhie-vysokovoltnye-gaas-diody-dlya-silovojj-ehlektroniki